RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
23
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
59
Rund um -157% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
21.1
2,123.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,833.8
23.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,123.3
21.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
731
4565
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link