RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
59
En -90% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3823
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link