RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
43
En -65% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2157
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link