RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
13.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2157
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link