Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Inmos + 256MB

Puntuación global
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Puntuación global
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 11.5
    Valor medio en las pruebas
Inmos + 256MB Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 62
    En -107% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.1 left arrow 1,843.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    16800 left arrow 6400
    En 2.63 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    62 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,556.6 left arrow 11.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,843.6 left arrow 9.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 16800
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    542 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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