Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Inmos + 256MB

总分
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

总分
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
Inmos + 256MB 需要考虑的原因
Inmos + 256MB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 62
    左右 -107% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    9.1 left arrow 1,843.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    16800 left arrow 6400
    左右 2.63 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    62 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    3,556.6 left arrow 11.5
  • 写入速度,GB/s
    1,843.6 left arrow 9.1
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 16800
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    542 left arrow 2318
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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