Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Inmos + 256MB

Note globale

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Note globale

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 11.5

Valeur moyenne dans les tests

Inmos + 256MB

Raisons de considérer
Inmos + 256MB

Signaler un bogue

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 62

Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.1 1,843.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

16800 6400

Autour de 2.63 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Inmos + 256MB

Principales caractéristiques

Type de mémoire

DDR2 DDR4
Latence dans PassMark, ns

62 30
Vitesse de lecture, GB/s

3,556.6 11.5
Vitesse d'écriture, GB/s

1,843.6 9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps

6400 16800

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

542 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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