Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Inmos + 256MB

Wynik ogólny

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Wynik ogólny

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 11.5

Średnia wartość w badaniach

Inmos + 256MB

Powody do rozważenia
Inmos + 256MB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 62

Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.1 1,843.6

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

16800 6400

Wokół strony 2.63 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Inmos + 256MB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

62 30
Prędkość odczytu, GB/s

3,556.6 11.5
Prędkość zapisu, GB/s

1,843.6 9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps

6400 16800

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

542 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB

G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB

G Skill Intl F3-12800CL7-2GBRM 2GB

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBXL 4GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9905711-032.A00G 8GB

Kingston 9905711-032.A00G 8GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB