RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3525
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link