RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2293
3657
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Porównanie pamięci RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kllisre 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link