RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
104
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2352
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link