Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 15.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,404.5 left arrow 12.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    42 left arrow 104
    Wokół strony -148% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 6400
    Wokół strony 4 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    104 left arrow 42
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,192.0 left arrow 15.7
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,404.5 left arrow 12.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Taktowanie / szybkość zegara
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    786 left arrow 2352
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania