RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
104
Около -148% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
42
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2352
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link