RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
42
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
42
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2352
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link