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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Comparez
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Note globale
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
42
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
42
Vitesse de lecture, GB/s
16.7
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2756
2352
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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