RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2383
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link