RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2383
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link