RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3465
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
UMAX Technology 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link