RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
41
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
2388
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link