RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
38
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
16.9
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3465
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link