RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
19
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
15.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
59
En -195% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
20
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3410
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link