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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
46
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2072
2740
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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