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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Comparar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
12.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
10.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2072
2740
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
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