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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
59
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.6
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
7.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
1827
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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