RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
59
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.6
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
7.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
1827
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link