RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3601
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link