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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.7
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3601
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
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