RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
15.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2057
3601
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link