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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
59
En -119% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3748
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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