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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
45
En -137% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3192
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
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