Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Puntuación global
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    36 left arrow 48
    En 25% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    9.3 left arrow 8.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.0 left arrow 5.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81% mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 48
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.3 left arrow 8.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.0 left arrow 5.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1891 left arrow 1420
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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