Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB против Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 48
    Около 25% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.3 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.0 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81% выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 48
  • Скорость чтения, Гб/сек
    9.3 left arrow 8.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.0 left arrow 5.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1891 left arrow 1420
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения