RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB против Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
48
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
36
48
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
8.9
Скорость записи, Гб/сек
7.0
5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
10600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1891
1420
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link