Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    36 left arrow 48
    Por volta de 25% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    9.3 left arrow 8.9
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.0 left arrow 5.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
    Por volta de 1.81% maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    36 left arrow 48
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.3 left arrow 8.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.0 left arrow 5.9
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 10600
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1891 left arrow 1420
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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