Porównanie pamięci RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

36 48

Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

9.3 8.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.0 5.9

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 10600

Wokół strony 1.81% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1891 1420

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns