Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    36 left arrow 48
    Wokół strony 25% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    9.3 left arrow 8.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    7.0 left arrow 5.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
    Wokół strony 1.81% większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    36 left arrow 48
  • Prędkość odczytu, GB/s
    9.3 left arrow 8.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.0 left arrow 5.9
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    19200 left arrow 10600
Other
  • Opis
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Taktowanie / szybkość zegara
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1891 left arrow 1420
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania