RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

36 48

Rund um 25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

9.3 8.9

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.0 5.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1891 1420

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns