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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 48
    周辺 25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.3 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.0 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81% 高帯域
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 48
  • 読み出し速度、GB/s
    9.3 left arrow 8.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.0 left arrow 5.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
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