RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
45
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
3192
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link