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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
59
En -119% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2288
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
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