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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
59
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3482
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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