RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Confronto
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,123.3
15.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
59
Intorno -79% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
33
Velocità di lettura, GB/s
4,833.8
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,123.3
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
731
3482
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link