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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
59
En -90% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2330
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
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