RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2330
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link