RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
68
Wokół strony -240% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
3327
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link