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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
59
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2583
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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