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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
59
左右 -69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
35
读取速度,GB/s
4,833.8
14.1
写入速度,GB/s
2,123.3
9.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2583
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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