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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
59
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
50
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2064
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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