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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
59
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
53
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2366
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
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G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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