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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
69
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3330
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
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