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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
69
En -263% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
19
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3665
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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