RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Comparez
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Note globale
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
69
Autour de -263% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,857.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,217.2
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,857.7
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
668
3665
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kllisre 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link