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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Raisons de considérer
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2548
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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